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微纳电子技术杂志(订阅)

主管单位:中华人民共和国信息产业部
主办单位:中国电子科技集团公司第十三研究所
国内统一刊号:13-1314/TN
国际标准刊号:1671-4776
业务类型:杂志征订
杂志人气:
杂志类型:矿业工程类杂志-TD

微纳电子技术杂志简介
《微电子技术》(月刊)曾用刊名:(半导体情报)1964年创刊,以促进我国纳米电子技术不断发展为办刊目的。创刊4年以来,汇集了纳米电子、机械、材料、制造、测量以及物理、化学和生物等不同学科新生长出来的微小和微观领域的科学技术群体。

《微电子技术》通过报道国内外纳米电子技术方面的研究论文和综述动态,为纳米研究领域的技术人员提供纳米技术领域新的突破方法和新的研究方向,为纳米技术领域中从事原始创新和基础探索的科研工作者、大学教师和学生提供了一个纳米电子技术成果展示、转化和技术交流的平台。

微纳电子技术收录情况/影响因子
国家新闻出版总署收录 维普网、万方数据库、知网数据库、文摘杂志、化学文摘(网络版)、剑桥科学文摘、剑桥科学文摘社ProQeust数据库、物理学、电技术、计算机及控制信息数据库收录

1、北大核心期刊:

2008-2011年连续2届北大核心期刊(北大2008版核心期刊、北大2011版核心期刊)

2、数据:MARC数据、DC数据

3、图书馆藏:国家图书馆馆藏、上海图书馆馆藏

4、影响因子:

截止2014年万方:影响因子:0.248;总被引频次:342

截止2014年知网:复合影响因子:0.443;综合影响因子:0.226

5、微纳电子技术杂志荣誉:

2002-2003和2003-2004年度,均获信息产业部电子科技期刊编辑质量优秀奖

2005-2006年度获信息产业部电子科技期刊学术技术水平优秀奖

中国学术期刊执行(光盘版)检索与评价数据规范优秀期刊

2007-2008年度又荣获工业和信息化部电子科技期刊学术技术水平优秀奖

微纳电子技术栏目设置
专家论谈、纳米器件与技术、纳米材料与纳料结构、MEMS器件与技术、显微、测量、微细加工技术与设备、企业与人物追踪、业界快讯。
微纳电子技术杂志社介绍
1、来稿要求论点明确、数据可靠、逻辑严密、文字精炼,每篇论文必须包括题目、作者姓名、作者单位、单位所在地及邮政编码、摘要和关键词、正文、参考文献和第一作者及通讯作者(一般为导师)简介(包括姓名、性别、职称、出生年月、所获学位、目前主要从事的工作和研究方向),在文稿的首页地脚处注明论文属何项目、何基金(编号)资助,没有的不注明。

2、论文摘要尽量写成报道性文摘,包括目的、方法、结果、结论4方面内容(100字左右),应具有独立性与自含性,关键词选择贴近文义的规范性单词或组合词(3~5个)。

3、文稿篇幅(含图表)一般不超过5000字,一个版面2500字内。文中量和单位的使用请参照中华人民共和国法定计量单位最新标准。外文字符必须分清大、小写,正、斜体,黑、白体,上下角标应区别明显。

4、文中的图、表应有自明性。图片不超过2幅,图像要清晰,层次要分明。

5、参考文献的著录格式采用顺序编码制,请按文中出现的先后顺序编号。所引文献必须是作者直接阅读参考过的、最主要的、公开出版文献。未公开发表的、且很有必要引用的,请采用脚注方式标明,参考文献不少于3条。

6、来稿勿一稿多投。收到稿件之后,5个工作日内审稿,电子邮件回复作者。重点稿件将送同行专家审阅。如果10日内没有收到拟用稿通知(特别需要者可寄送纸质录用通知),则请与本部联系确认。

7、来稿文责自负。所有作者应对稿件内容和署名无异议,稿件内容不得抄袭或重复发表。对来稿有权作技术性和文字性修改,杂志一个版面2500字,二个版面5000字左右。作者需要安排版面数,出刊日期,是否加急等情况,请在邮件投稿时作特别说明。

8、请作者自留备份稿,本部不退稿。

9、论文一经发表,赠送当期样刊1-2册,需快递的联系本部。

10、请在文稿后面注明稿件联系人的姓名、工作单位、详细联系地址、电话(包括手机)、邮编等信息,以便联系有关事宜。

微纳电子技术相关期刊

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1.《微纳电子技术》订阅订阅价格能不能更便宜一些?

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4.什么是国家级、省级、核心期刊

答:“国家级”期刊,即由党中央、国务院及所属各部门,或中国科学院、中国社会科学院、各民主党派和全国性人民团体主办的期刊及国家一级专业学会主办的会刊。“省级”期刊即由各省、自治区、直辖市及其所属部、委办、厅、局主办的期刊以及由各本、专科院校主办的学报(刊)。核心期刊是学术界通过一整套科学的方法,对于期刊质量进行跟踪评价,并以情报学理论为基础,将期刊进行分类定级,把最为重要的一级称之为核心期刊。

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《微纳电子技术》范例

1.石墨烯基电子学研究进展    袁明文
2.利用共振隧穿器件制作太赫兹波源    郭维廉,牛萍娟,李晓云,谷晓,何庆国,冯志红,田爱华,张世林,毛陆虹
3.Si衬底GaN外延材料六角形缺陷分析    尹甲运,刘波,王晶晶,周瑞,李佳,敦少博,冯志红
4.Bi3.5Yb0.5Ti3O12铁电薄膜的制备及性能    成传品,邓永和,戴雄英,肖刚
5.HVPE法制备GaN过程中GaAs衬底的氮化    张嵩,杨瑞霞,徐永宽,李强
6.电磁MEMS在流体控制中的应用    钱吉胜,沙莎,陈志华,易文俊
7.Si-玻璃阳极键合失效机理研究    毋正伟,陈德勇,夏善红
8.二维变形方波微混合器混合效果    张芹,游炜臻,林耿锐
9.一种基于BCB键合技术的新型MEMS圆片级封装工艺    何洪涛
10.干涉空间相位光刻对准方法研究    马平,胡松,周绍林,徐文祥
11.锥形光纤与楔形光纤的耦合    杨修文
12.pH值调节剂对Si片CMP速率的影响    杨金波,刘玉岭,刘效岩,胡轶,孙鸣
13.半导体工艺线CAM及SPC的应用    李保第,刘福庆,李彦伟,杨中月,胡玲,崔玉兴,付兴昌
1.纳米级SET/CMOS混合器件的研究进展    冯朝文,蔡理,张立森,Feng Chaowen,Cai Li,Zhang Lisen
2.单壁碳纳米管随机网络场效应晶体管    许高斌,王鹏,陈兴,常永嘉,Xu Gaobin,Wang Peng,Chen Xing,Chang Yongjia
3.双功能苯并恶嗪聚合物的制备及抗粘性能研究    曲丽,辛忠,陆馨,董会杰,Qu Li,Xin Zhong,Lu Xin,Dong Huijie
4.SrTiO3枝杈晶的水热法制备与表征    杨琳琳,王永刚,王玉江,韩高荣,Yang Linlin,Wang Yonggang,Wang Yujiang,Han Gaorong
5.石墨上多晶硅薄膜的制备及择优取向的调控    施辉伟,陈诺夫,黄添懋,尹志岗,汪宇,张汉,应杰,Shi Huiwei,Chen Nuofu,Huang Tianmao,Yin Zhigang,Wang Yu,Zhang Han,Ying Jie
6.电动微流体数值模拟研究进展    杨大勇,Yang Dayong
7.压电式微传声器的设计与测量方法的匹配    于留波,赵湛,丁国杰,轩运动,Yu Liubo,Zhao Zhan,Ding Guojie,Xuan Yundong
8.三维物体的重建方法    饶志鹏,刘键,夏洋,Rao Zhipeng,Liu Jian,Xia Yang
9.条纹图像相位提取方法研究    徐锋,胡松,罗正全,周绍林,Xu Feng,Hu Song,Luo Zhengquan,Zhou Shaolin
10.纳米检焦中双相锁相放大器的Simulink建模与仿真    谢飞,唐小萍,胡松,严伟,Xie Fei,Tang Xiaoping,Hu Song,Yan Wei
1.CMOS负阻单元逻辑电路及其发展前景    郭维廉,牛萍娟,李晓云,刘宏伟,谷晓,毛陆虹,张世林,陈燕,王伟,Guo Weilian,Niu Pingjuan,Li Xiaoyun,Liu Hongwei,Gu Xiao,Mao Luhong,Zhang Shilin,Chen Yan,Wang Wei
2.有机半导体器件的现状及发展趋势    陈海明,靳宝善,Chen Haiming,Jin Baoshan
3.光引发碳微球表面接枝聚甲基丙烯酸    刘伟峰,韩艳星,郭明聪,杨永珍,刘旭光,许并社,Liu Weifeng,Han Yanxing,Guo Mingcong,Yang Yongzhen,Liu Xuguang,Xu Bingshe
4.Ni-Mn-Ga铁磁性形状记忆薄膜研究进展    陈峰华,张敏刚,柴跃生,张真真,Chen Fenghua,Zhang Mingang,Chai Yuesheng,Zhang Zhenzhen
5.MEMS系统级仿真中的一种变截面梁建模方法    郝星,苑伟政,常洪龙,牛昊彬,焦文龙,Hao Xing,Yuan Weizheng,Chang Honglong,Niu Haobin,Jiao Wenlong
6.基于Allan方差的MEMS陀螺仪性能评价方法    邹学锋,卢新艳,Zou Xuefeng,Lu Xinyan
7.双工件台光刻机中的调平调焦技术    李金龙,赵立新,胡松,周绍林,Li Jinlong,Zhao Lixin,Hu Song,Zhou Shaolin
8.铋基焦绿石薄膜的湿法刻蚀方法研究    高莉彬,李汝冠,蒋书文,李言荣,Gao Libin,Li Ruguan,Jiang Shuwen,Li Yanrong
9.ICP刻蚀在GaAs p-i-n工艺中的应用    张力江,幺锦强,崔玉兴,付兴昌,Zhang Lijiang,Yao Jinqiang,Cui Yuxing,Fu Xingchang
10.高密度封装IC的高加速应力试验研究    张善伦,来萍,尧彬,刘建,李斌,Zhang Shanlun,Lai Ping,Yao Bin,Liu Jian,Li Bin
11.大栅宽功率器件的分布性研究    方家兴,胡志富,蔡树军,Fang Jiaxing,Hu Zhifu,Cai Shujun
12.采用SPC技术控制半导体器件的工艺质量    王文君,Wang Wenjun
1.单片集成锁模量子点激光器    姜立稳,叶小玲,王占国,Jiang Liwen,Ye Xiaoling,Wang Zhanguo
2.高性能SiC整流二极管研究    杨霏,商庆杰,李亚丽,闫锐,默江辉,潘宏菽,李佳,刘波,冯志红,付兴昌,何庆国,蔡树军,杨克武,Yang Fei,Shang Qingjie,Li Yali,Yan Rui,Mo Jianghui,Pan Hongshu,Li Jia,Liu Bo,Feng Zhihong,Fu Xingchang,He Qingguo,Cai Shujun,Yang Kewu
3.900 nm三叠层隧道级联激光器的结构优化研究    林琳,陈宏泰,安志民,车相辉,王晶,Lin Lin,Chen Hongtai,An Zhimin,Che Xianghui,Wang Jing
4.纳米线在新型太阳电池中的应用研究    岳会会,贾锐,陈晨,李昊峰,刘新宇,叶甜春,钟圣荣,Yue Huihui,Jia Rui,Chen Chen,Li Haofeng,Liu Xinyu,Ye Tianchun,Zhong Shengrong
5.原位Si掺杂c-BN薄膜的制备及电学性质研究    应杰,范亚明,谭海仁,施辉伟,Ying Jie,Fan Yaming,Tan Hairen,Shi Huiwei
6.立方相SiC MEMS器件研究进展    杨挺,孙国胜,吴海雷,闫果果,宁瑾,赵永梅,刘兴防,罗木昌,王雷,赵万顺,曾一平,Yang Ting,Sun Guosheng,Wu Hailei,Yan Guoguo,Ning Jin,Zhao Yongmei,Liu Xingfang,Luo Muchang,Wang Lei,Zhao Wanshun,Zeng Yiping
7.硅MEMS器件加工技术及展望    徐永青,杨拥军,Xu Yongqing,Yang Yongjun
8.紫外固化真空负压纳米压印系统的研制    段智勇,弓巧侠,罗康,赵立波,张慧敏,王庆康,Duan Zhiyong,Gong Qiaoxia,Luo Kang,Zhao Libo,Zhang Huimin,Wang Qingkang
9.体硅热膜传感器单片集成工艺的研究    邹学锋,沈路,何洪涛,Zou Xuefeng,Shen Lu,He Hongtao
10.3D封装及其最新研究进展    邓丹,吴丰顺,周龙早,刘辉,安兵,吴懿平,Deng Dan,Wu Fengshun,Zhou Longzao,Liu Hui,An Bing,Wu Yiping
11.低电压、高速、高稳定性集成运算放大器芯片设计    赵秋明,赵明剑,王卫东,Zhao Qiuming,Zhao Mingjian,Wang Weidong
12.Ku波段GaAs单片功率放大器    王会智,吴思汉,何庆国,Wang Huizhi,Wu Sihan,He Qingguo


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